金属氧化物半导体场效应晶体管或 MOSFET 是用于放大或切换电子信号的晶体管。
氧化物绝缘的栅极上的电压可在其它两个触点（称作源极和漏极）之间感应出一个导电通道。该通道可为 N 型或 P 型。
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 80 A |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 封装类型 | TO-263 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 7.5 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大功率耗散 | 70 W |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 典型栅极电荷@Vgs | 20 nC @ 4.5 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 长度 | 10.75mm |
| 宽度 | 10.4mm |
