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onsemi FDS6675BZ MOSFET

订 货 号:FDS6675BZ      品牌:安森美_Onsemi

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onsemi FDS6675BZ MOSFET
产品详细信息

PowerTrench® P 通道 MOSFET,Fairchild Semiconductor

PowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关,可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管,有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。
最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构,可提供电荷平衡。 利用这一先进技术,这些设备的 FOM(品质因素)显著低于之前的 FOM。
PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。

半导体 MOSFET 晶体管,半

在半自动模式下, MOSFET 器件的组合相当庞大,包括高电压 (250V)> 和低电压 (250V)< 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
在半 MOSFET 上,可提供卓越的设计可靠性,从降低的电压峰值和过冲,到降低接点电容和反向恢复电荷,以及消除额外的外部组件,从而使系统保持较长的运行时间。


属性 数值
通道类型 P
最大连续漏极电流 11 A
最大漏源电压 30 V
封装类型 SOIC
安装类型 表面贴装
引脚数目 8
最大漏源电阻值 13 mΩ
通道模式 增强
最小栅阈值电压 1V
最大功率耗散 2500 mW
晶体管配置
最大栅源电压 -25 V、+25 V
典型栅极电荷@Vgs 44 nC @ 10 V
每片芯片元件数目 1
晶体管材料 Si
宽度 4mm
长度 5mm
最高工作温度 +150 °C
暂无

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