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德州仪器 TPS1120D MOSFET

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德州仪器 TPS1120D MOSFET
产品详细信息

P 通道 MOSFET，Texas Instruments

MOSFET 晶体管，Texas Instruments


属性 数值
通道类型 P
最大连续漏极电流 1.17 A
最大漏源电压 15 V
封装类型 SOIC
安装类型 表面贴装
引脚数目 8
最大漏源电阻值 400 mΩ
通道模式 增强
最大栅阈值电压 1.5V
最小栅阈值电压 1V
最大功率耗散 840 mW
晶体管配置 隔离式
最大栅源电压 -15 V、+2 V
每片芯片元件数目 2
宽度 3.91mm
长度 4.9mm
晶体管材料 Si
最高工作温度 +125 °C
典型栅极电荷@Vgs 5.45 nC @ 10 V
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