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德州仪器 CSD19534KCS MOSFET

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德州仪器 CSD19534KCS MOSFET
产品详细信息

N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET，Texas Instruments

MOSFET 晶体管，Texas Instruments


属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 100 A
最大漏源电压 100 V
封装类型 TO-220
安装类型 通孔
引脚数目 3
最大漏源电阻值 20 MΩ
通道模式 增强
最大功率耗散 118 W
晶体管配置 单
最大栅源电压 -20 V、+20 V
最高工作温度 +175 °C
晶体管材料 Si
长度 10.67mm
典型栅极电荷@Vgs 17.1 nC @ 0 V
宽度 4.7mm
每片芯片元件数目 1
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