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Vishay SiHG30N60E-GE3 MOSFET

订 货 号:SiHG30N60E-GE3      品牌:威世_Vishay

库存数量:10             品牌属性:进口

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Vishay SIHG30N60E-GE3 MOSFET
产品详细信息

N 通道 MOSFET,E 系列,低品质因数,Vishay Semiconductor

Vishay E 系列 MOSFET 电源是高电压晶体管,具有超低最大接通电阻、低灵敏值和快速切换功能。 它们提供各种电流额定值。 典型应用包括服务器和电信电源、LED 照明、回扫转换器、功率因数校正 (PFC) 和开关模式电源 (SMPS)。

特点

低灵敏值 (FOM) RDS(on) x Qg
低输入电容 (Ciss)
低接通电阻(RDS(接通))
超低栅极电荷 (Qg)
快速切换
减少切换和传导损耗

MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor


属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 29 A
最大漏源电压 600 V
封装类型 TO-247AC
安装类型 通孔
引脚数目 3
最大漏源电阻值 125 mΩ
通道模式 增强
最小栅阈值电压 2V
最大功率耗散 250 W
晶体管配置
最大栅源电压 -20 V、+20 V
长度 15.87mm
最高工作温度 +150 °C
典型栅极电荷@Vgs 85 nC @ 10 V
晶体管材料 Si
宽度 5.31mm
每片芯片元件数目 1
暂无

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