STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。
属性 | 数值 |
---|---|
通道类型 | N |
最大连续漏极电流 | 80 A |
最大漏源电压 | 100 V |
封装类型 | DPAK (TO-252) |
安装类型 | 表面贴装 |
引脚数目 | 3 |
最大漏源电阻值 | 8 mΩ |
通道模式 | 增强 |
最大栅阈值电压 | 4V |
最小栅阈值电压 | 2V |
最大功率耗散 | 120 W |
晶体管配置 | 单 |
最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
典型栅极电荷@Vgs | 61 nC @ 10 V |
长度 | 6.6mm |
最高工作温度 | +175 °C |
宽度 | 6.2mm |
每片芯片元件数目 | 1 |
晶体管材料 | Si |