Infineon的分立式HEXFET®功率MOSFET系列包括采用表面安装和引线封装的P通道器件,以及可应对几乎所有电路板布局和散热设计难题的外形尺寸。在整个系列内,电阻基准降低了传导损耗,使设计人员能够提供最佳的系统效率。
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
属性 | 数值 |
---|---|
通道类型 | P |
最大连续漏极电流 | 10.5 A |
最大漏源电压 | 40 V |
封装类型 | SOIC |
安装类型 | 表面贴装 |
引脚数目 | 8 |
最大漏源电阻值 | 25 mΩ |
通道模式 | 增强 |
最大栅阈值电压 | 3V |
最小栅阈值电压 | 1V |
最大功率耗散 | 2.5 W |
晶体管配置 | 单 |
最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
每片芯片元件数目 | 1 |
典型栅极电荷@Vgs | 73 nC @ 10 V |
长度 | 5mm |
最高工作温度 | +150 °C |
宽度 | 4mm |
晶体管材料 | Si |