| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N，P |
| 最大连续漏极电流 | 2.1 A，3.4 A |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 封装类型 | TSOT-26 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 6 |
| 最大漏源电阻值 | 100 mΩ, 140 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 3V |
| 最大功率耗散 | 1.27 W |
| 晶体管配置 | 隔离式 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件数目 | 2 |
| 宽度 | 1.6mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 典型栅极电荷@Vgs | 7 nC @ 10 V，9 nC @ 10 V |
| 长度 | 2.9mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
