Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。
它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。
在半自动模式下， MOSFET 器件的组合相当庞大，包括高电压 (250V)> 和低电压 (250V)< 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
在半 MOSFET 上，可提供卓越的设计可靠性，从降低的电压峰值和过冲，到降低接点电容和反向恢复电荷，以及消除额外的外部组件，从而使系统保持较长的运行时间。
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 8 A |
| 最大漏源电压 | 800 V |
| 封装类型 | TO-220AB |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 1.55 Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最小栅阈值电压 | 3V |
| 最大功率耗散 | 178 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 晶体管材料 | Si |
| 长度 | 10.1mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 宽度 | 4.7mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 35 nC @ 10 V |
