Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 22 A |
| 最大漏源电压 | 20 V |
| 封装类型 | PQFN |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 6 |
| 最大漏源电阻值 | 15.5 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大功率耗散 | 9.6 W |
| 最大栅源电压 | -12 V、+12 V |
| 典型栅极电荷@Vgs | 14 nC @ 4.5 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 长度 | 2.1mm |
| 宽度 | 2.1mm |
