属性 | 数值 |
---|---|
通道类型 | P |
最大连续漏极电流 | 1 A |
最大漏源电压 | 100 V |
封装类型 | HVMDIP |
安装类型 | 通孔 |
引脚数目 | 4 |
最大漏源电阻值 | 600 mΩ |
通道模式 | 增强 |
最小栅阈值电压 | 2V |
最大功率耗散 | 1.3 W |
晶体管配置 | 单 |
最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
宽度 | 6.29mm |
每片芯片元件数目 | 1 |
最高工作温度 | +175 °C |
晶体管材料 | Si |
长度 | 5mm |
典型栅极电荷@Vgs | 18 nC @ 10 V |