来自 Vishay Semiconductor 的SQ 系列 MOSFET 适用于要求坚固性和高可靠性的汽车应用。
• 符合 AEC-Q101 标准
• 接点温度高达 +175°C
• 低导通电阻 n - 和 p - 通道 TrenchFET® 技术
• 创新型节省空间封装选项
AEC-Q101
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 8 A |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 封装类型 | PowerPAK 1212 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大漏源电阻值 | 135 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最小栅阈值电压 | 1.5V |
| 最大功率耗散 | 33 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 晶体管材料 | Si |
| 宽度 | 3.4mm |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 长度 | 3.4mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 8 nC @ 10 V |
