N-沟道增强模式功率 MOSFET
- 低接通电阻
- 低噪声
- 低切换损耗
属性 | 数值 |
---|---|
通道类型 | N |
最大连续漏极电流 | 30 A |
最大漏源电压 | 600 V |
封装类型 | TO-247 |
安装类型 | 通孔 |
引脚数目 | 3 |
最大漏源电阻值 | 125 mΩ |
通道模式 | 增强 |
最大栅阈值电压 | 3.5V |
最大功率耗散 | 220 W |
晶体管配置 | 单 |
最大栅源电压 | -30 V、+30 V |
典型栅极电荷@Vgs | 73 nC @ 10 V |
长度 | 15.9mm |
最高工作温度 | +150 °C |
宽度 | 5.03mm |
晶体管材料 | Si |
每片芯片元件数目 | 1 |