IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
属性 | 数值 |
---|---|
通道类型 | N |
最大连续漏极电流 | 50 A |
最大漏源电压 | 600 V |
封装类型 | SMPD |
安装类型 | 表面贴装 |
引脚数目 | 9 |
最大漏源电阻值 | 45 mΩ |
通道模式 | 增强 |
最大栅阈值电压 | 3.5V |
晶体管配置 | 单 |
最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
最高工作温度 | +150 °C |
晶体管材料 | Si |
宽度 | 23mm |
典型栅极电荷@Vgs | 150 nC @ 10 V |
长度 | 25mm |
每片芯片元件数目 | 1 |