属性 | 数值 |
---|---|
通道类型 | P |
最大连续漏极电流 | 5.6 A |
最大漏源电压 | 100 V |
封装类型 | DPAK (TO-252) |
安装类型 | 表面贴装 |
引脚数目 | 3 |
最大漏源电阻值 | 600 mΩ |
通道模式 | 增强 |
最小栅阈值电压 | 2V |
最大功率耗散 | 42 W |
晶体管配置 | 单 |
最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
典型栅极电荷@Vgs | 18 nC @ 10 V |
最高工作温度 | +150 °C |
长度 | 6.73mm |
宽度 | 6.22mm |
晶体管材料 | Si |
每片芯片元件数目 | 1 |