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MagnaChip MDD3N50GRH MOSFET

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MagnaChip MDD3N50GRH MOSFET
产品详细信息

高电压 (HV) MOSFET

高电压,N 通道 MOSFET,带低通态电阻和高切换性能。

MOSFET 晶体管,MagnaChip


属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 2.8 A
最大漏源电压 500 V
封装类型 DPAK (TO-252)
安装类型 表面贴装
引脚数目 3
最大漏源电阻值 2.5 Ω
通道模式 增强
最大栅阈值电压 5V
最大功率耗散 45 W
晶体管配置
最大栅源电压 -30 V、+30 V
每片芯片元件数目 1
宽度 6.22mm
典型栅极电荷@Vgs 6.75 nC @ 10 V
长度 6.73mm
晶体管材料 Si
最高工作温度 +150 °C
暂无

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