高电压,N 通道 MOSFET,带低通态电阻和高切换性能。
属性 | 数值 |
---|---|
通道类型 | N |
最大连续漏极电流 | 2.8 A |
最大漏源电压 | 500 V |
封装类型 | DPAK (TO-252) |
安装类型 | 表面贴装 |
引脚数目 | 3 |
最大漏源电阻值 | 2.5 Ω |
通道模式 | 增强 |
最大栅阈值电压 | 5V |
最大功率耗散 | 45 W |
晶体管配置 | 单 |
最大栅源电压 | -30 V、+30 V |
每片芯片元件数目 | 1 |
宽度 | 6.22mm |
典型栅极电荷@Vgs | 6.75 nC @ 10 V |
长度 | 6.73mm |
晶体管材料 | Si |
最高工作温度 | +150 °C |