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Nexperia PSMN2R6-40YS,115 MOSFET

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Nexperia PSMN2R6-40YS,115 MOSFET
产品详细信息

N 通道 MOSFET ， 40V 至 55V

MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors


属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 100 A
最大漏源电压 40 V
封装类型 SOT-669
安装类型 表面贴装
引脚数目 4
最大漏源电阻值 3.7 mΩ
通道模式 增强
最大栅阈值电压 4V
最小栅阈值电压 2V
最大功率耗散 131 W
晶体管配置 单
最大栅源电压 -20 V、+20 V
典型栅极电荷@Vgs 63 nC @ 10 V
最高工作温度 +175 °C
宽度 4.1mm
每片芯片元件数目 1
晶体管材料 Si
长度 5mm
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