增强模式场效应晶体管使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种密度非常高的工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。
2N7002DW 是双 N 通道通用 MOSFET 。它具有低接通电阻和低门阈值电压。它还具有快速切换速度，并提供超小型表面安装封装。此双 N 通道 MOSFET 通常用于所有通用应用，但通常用于电机控制和 PMF （电源管理功能）。
•双 N 通道
•低接通电阻
•低门阈值
•快速切换速度
•低输入和输出泄漏
在半自动模式下， MOSFET 器件的组合相当庞大，包括高电压 (250V)> 和低电压 (250V)< 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
在半 MOSFET 上，可提供卓越的设计可靠性，从降低的电压峰值和过冲，到降低接点电容和反向恢复电荷，以及消除额外的外部组件，从而使系统保持较长的运行时间。
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 115 mA |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 封装类型 | SOT-363 (SC-70) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 6 |
| 最大漏源电阻值 | 13.5 Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最小栅阈值电压 | 1V |
| 最大功率耗散 | 200 mW |
| 晶体管配置 | 隔离式 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件数目 | 2 |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 长度 | 2mm |
| 宽度 | 1.25mm |
| 晶体管材料 | Si |
