Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能,包括电源、PFC(功率因数校正)、直流-直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。
它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗,并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术,Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。
在半自动模式下, MOSFET 器件的组合相当庞大,包括高电压 (250V)> 和低电压 (250V)< 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
在半 MOSFET 上,可提供卓越的设计可靠性,从降低的电压峰值和过冲,到降低接点电容和反向恢复电荷,以及消除额外的外部组件,从而使系统保持较长的运行时间。
属性 | 数值 |
---|---|
通道类型 | N |
最大连续漏极电流 | 45 A |
最大漏源电压 | 150 V |
封装类型 | TO-220AB |
安装类型 | 通孔 |
引脚数目 | 3 |
最大漏源电阻值 | 42 mΩ |
通道模式 | 增强 |
最小栅阈值电压 | 2V |
最大功率耗散 | 210 W |
晶体管配置 | 单 |
最大栅源电压 | -25 V、+25 V |
最高工作温度 | +175 °C |
长度 | 10.1mm |
典型栅极电荷@Vgs | 85 nC @ 10 V |
晶体管材料 | Si |
每片芯片元件数目 | 1 |
宽度 | 4.7mm |