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德州仪器 CSD17578Q3AT MOSFET

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德州仪器 CSD17578Q3AT MOSFET
产品详细信息

N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET，Texas Instruments

MOSFET 晶体管，Texas Instruments


属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 14 A
最大漏源电压 30 V
封装类型 VSCONP
安装类型 表面贴装
引脚数目 8
最大漏源电阻值 9.4 mΩ
通道模式 增强
最大功率耗散 3.2 W
晶体管配置 单
最大栅源电压 -20 V、+20 V
每片芯片元件数目 1
宽度 3.5mm
最高工作温度 +150 °C
晶体管材料 Si
长度 3.5mm
典型栅极电荷@Vgs 7.9 nC @ 4.5 V
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