在半自动模式下， MOSFET 器件的组合相当庞大，包括高电压 (250V)> 和低电压 (250V)< 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
在半 MOSFET 上，可提供卓越的设计可靠性，从降低的电压峰值和过冲，到降低接点电容和反向恢复电荷，以及消除额外的外部组件，从而使系统保持较长的运行时间。
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N，P |
| 最大连续漏极电流 | 460 mA，680 mA |
| 最大漏源电压 | 25 V |
| 封装类型 | SOT-23 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 6 |
| 最大漏源电阻值 | 1.1 Ω, 450 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最小栅阈值电压 | 0.65V |
| 最大功率耗散 | 900 mW |
| 晶体管配置 | 隔离式 |
| 最大栅源电压 | -8 V、+8 V |
| 典型栅极电荷@Vgs | 1.1 nC @ 4.5 V，1.64 nC @ 4.5 V |
| 每片芯片元件数目 | 2 |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 长度 | 3mm |
| 宽度 | 1.7mm |
| 晶体管材料 | Si |
