MDmesh DM2 MOSFET 提供低 RDS(on) 和改进的二极管反向恢复时间，可提高效率，此系列经优化可用于全桥相移 ZVS 拓扑。
高 dV/dt 能力，可提高系统可靠性
符合 AEC-Q101
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 50 A |
| 最大漏源电压 | 600 V |
| 封装类型 | TO-247 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 60 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 5V |
| 最小栅阈值电压 | 3V |
| 最大功率耗散 | 360 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -25 V、+25 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 长度 | 15.75mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 90 nC @ 10 V |
| 晶体管材料 | Si |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 宽度 | 5.15mm |
