Infineon PG-to-252-3 表面安装 N 通道 MOSFET 是一款新时代的产品、在 10V 栅源电压下具有 6.8 毫欧的漏源电阻。MOSFET 具有 90A 的连续漏极电流。它的最大栅源电压为 20V 、漏源电压为 100V 。它的最大功耗为 150W 。 MOSFET 的最小和最大驱动电压分别为 6V 和 10V 。它经过优化、可降低开关和传导损耗。MOSFET 可提供卓越的效率以及较长的使用寿命、而不会影响性能或功能。
•易于设计产品
• 环保
•出色的栅极充电 x R DS （开）产品（ FOM ）
•出色的交换性能
• 无卤素
•最高功率密度
•适用于高频切换和同步整流
• 效率提高
•无铅 (Pb) 电镀
•需要的并联更少
•工作温度范围在 -55°C 和 175°C 之间
•最小的板空间消耗
• Qg 和 Qgd 非常低
•全球最低 RDS （接通）
• D 类音频放大器
•隔离直流到直流转换器（电信和数据通信系统）
• 48V - 80V 系统的电机控制（家用车辆、电动工具、卡车）
• 48V 系统中的 O 形圈开关和断路器
•同步整流器
• ANSI/ESD S20.20 ： 2014
• BS EN 61340-5-1 ： 2007
• IEC61249 - 2-21
• JEDEC
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 90 A |
| 最大漏源电压 | 100 V |
| 封装类型 | 到 -252-3 |
| 安装类型 | 表面安装器件 |
| 引脚数目 | 3 + 2 Tab |
| 最大漏源电阻值 | 12.3 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 3.5V |
| 最小栅阈值电压 | 2V |
| 最大功率耗散 | 150 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | 20 V |
| 宽度 | 7.47mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 51 nC @ 10 V |
| 长度 | 6.73mm |
| 最高工作温度 | +175 °C |
