Infineon 的汽车资格 COOLiRFET™ 功率MOSFET 可实现非常低的导通电阻 (RDS(on))，传导损耗非常低，从而高效快速切换大电流信号。 它们在恶劣的信号环境中提供更高的效率、功率密度和可靠性，具有强健的雪崩性能、低传导损耗、快速切换速度和 175°C 最高结点温度。
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 120 A |
| 最大漏源电压 | 40 V |
| 封装类型 | D2PAK (TO-263) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 2.3 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 3.9V |
| 最小栅阈值电压 | 2.2V |
| 最大功率耗散 | 163 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 宽度 | 9.65mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 107 nC @ 10 V |
| 晶体管材料 | Si |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 长度 | 10.67mm |
