Infineon 系列分立 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
Infineon IRF7452 是 100V 单 N 沟道 HEXFET 功率 MOSFET ,采用 SO-8 封装。
完全具有雪崩电压和电流特征
低栅极漏电荷,可减少切换损耗
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
属性 | 数值 |
---|---|
通道类型 | N |
最大连续漏极电流 | 4.5 A |
最大漏源电压 | 100 V |
封装类型 | SOIC |
安装类型 | 表面贴装 |
引脚数目 | 8 |
最大漏源电阻值 | 60 mΩ |
通道模式 | 增强 |
最大栅阈值电压 | 5.5V |
最小栅阈值电压 | 3V |
最大功率耗散 | 2.5 W |
晶体管配置 | 单 |
最大栅源电压 | -30 V、+30 V |
最高工作温度 | +150 °C |
典型栅极电荷@Vgs | 33 nC @ 10 V |
每片芯片元件数目 | 1 |
长度 | 5mm |
晶体管材料 | Si |
宽度 | 4mm |