MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 7 A |
| 最大漏源电压 | 650 V |
| 封装类型 | TO-251 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 600 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 5V |
| 最小栅阈值电压 | 3V |
| 最大功率耗散 | 70 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -25 V、+25 V |
| 典型栅极电荷@Vgs | 15 nC @ 10 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 宽度 | 2.4mm |
| 长度 | 6.6mm |
| 晶体管材料 | Si |
