| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N，P |
| 最大连续漏极电流 | 6.4 A，12 A |
| 最大漏源电压 | 8 V，30 V |
| 封装类型 | SOIC |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大漏源电阻值 | 20 mΩ, 37 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最小栅阈值电压 | 0.45V |
| 最大功率耗散 | 3.1 W, 4.5 W |
| 晶体管配置 | 共漏极 |
| 最大栅源电压 | -20 V、-8 V、+20 V、+8 V |
| 长度 | 5mm |
| 每片芯片元件数目 | 2 |
| 宽度 | 4mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 典型栅极电荷@Vgs | 16.5 nC @ 10 V，27.5 nC @ 8 V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
