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Vishay SI1032R-T1-GE3 MOSFET

订 货 号：SI1032R-T1-GE3      品牌：威世_Vishay

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Vishay SI1032R-T1-GE3 MOSFET
产品详细信息

N 通道 MOSFET，8V 至 25V，Vishay Semiconductor

MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor


属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 200 mA
最大漏源电压 20 V
封装类型 SOT-416 (SC-75A)
安装类型 表面贴装
引脚数目 3
最大漏源电阻值 9 Ω
通道模式 增强
最小栅阈值电压 0.4V
最大功率耗散 280 mW
晶体管配置 单
最大栅源电压 -6 V、+6 V
晶体管材料 Si
每片芯片元件数目 1
最高工作温度 +150 °C
典型栅极电荷@Vgs 750 nC @ 4.5 V
长度 1.68mm
宽度 0.86mm
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