这些低电压 (LV) MOSFET 提供低通态电阻和快速切换性能。
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 8 A |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 封装类型 | TSSOP |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大漏源电阻值 | 23 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 1.5V |
| 最大功率耗散 | 1.7 W |
| 晶体管配置 | 共漏极 |
| 最大栅源电压 | -12 V、+12 V |
| 每片芯片元件数目 | 2 |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 长度 | 3.1mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 10.7 nC @ 4.5 V |
| 宽度 | 4.5mm |
| 晶体管材料 | Si |
