Fairchild 推出了新一代 600V 超级结 MOSFET - SupreMOS®。
与 Fairchild 的 600V SuperFET™ MOSFET 相比，其低 RDS（接通）和总栅极电荷让品质因素 (FOM) 降低了 40%。 此外，SupreMOS 系列为相同的 RDS（接通）提供低栅极电荷，提供极佳的切换性能，切换和传导损耗降低 20%，从而获得更高的效率。
这些特征让电源符合用于台式 PC 的 ENERGY STAR® 80 PLUS 黄金分类和用于服务器的白金分类。
在半自动模式下， MOSFET 器件的组合相当庞大，包括高电压 (250V)> 和低电压 (250V)< 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
在半 MOSFET 上，可提供卓越的设计可靠性，从降低的电压峰值和过冲，到降低接点电容和反向恢复电荷，以及消除额外的外部组件，从而使系统保持较长的运行时间。
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 76 A |
| 最大漏源电压 | 600 V |
| 封装类型 | TO-3PN |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 36 Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最小栅阈值电压 | 2V |
| 最大功率耗散 | 543 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V |
| 晶体管材料 | Si |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 宽度 | 5mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 长度 | 15.8mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 218 nC @ 10 V |
