属性 | 数值 |
---|---|
通道类型 | N |
最大连续漏极电流 | 6.9 A |
最大漏源电压 | 20 V |
封装类型 | SOIC |
安装类型 | 表面贴装 |
引脚数目 | 8 |
最大漏源电阻值 | 35 mΩ |
通道模式 | 增强 |
最大栅阈值电压 | 1.5V |
最大功率耗散 | 1.4 W |
晶体管配置 | 隔离式 |
最大栅源电压 | -8 V、+8 V |
典型栅极电荷@Vgs | 18.6 nC @ 8 V |
最高工作温度 | +150 °C |
宽度 | 3.95mm |
每片芯片元件数目 | 2 |
晶体管材料 | Si |
长度 | 4.95mm |