N-沟道增强模式功率 MOSFET
- 低接通电阻
- 低噪声
- 低切换损耗
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 20 A |
| 最大漏源电压 | 600 V |
| 封装类型 | TO-247 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 190 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 3.5V |
| 最大功率耗散 | 140 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 晶体管材料 | Si |
| 宽度 | 5.03mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 48 nC @ 10 V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 长度 | 15.9mm |
