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Fuji Electric FMW20N60S1HF MOSFET

订 货 号:FMW20N60S1HF      品牌:台湾明纬_MW

库存数量:10             品牌属性:进口

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Fuji Electric FMW20N60S1HF MOSFET
产品详细信息

N-沟道功率 MOSFET,Super J MOS,Fuji Electric

N-沟道增强模式功率 MOSFET

- 低接通电阻
- 低噪声
- 低切换损耗

MOSFET 晶体管,Fuji Electric


属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 20 A
最大漏源电压 600 V
封装类型 TO-247
安装类型 通孔
引脚数目 3
最大漏源电阻值 190 mΩ
通道模式 增强
最大栅阈值电压 3.5V
最大功率耗散 140 W
晶体管配置
最大栅源电压 -30 V、+30 V
每片芯片元件数目 1
晶体管材料 Si
宽度 5.03mm
典型栅极电荷@Vgs 48 nC @ 10 V
最高工作温度 +150 °C
长度 15.9mm
暂无

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