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Vishay SISA04DN-T1-GE3 MOSFET

订 货 号：SISA04DN-T1-GE3      品牌：威世_Vishay

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Vishay SISA04DN-T1-GE3 MOSFET
产品详细信息

N 通道 MOSFET，TrenchFET Gen IV，Vishay Semiconductor

MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor


属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 40 A
最大漏源电压 30 V
封装类型 PowerPAK 1212
安装类型 表面贴装
引脚数目 8
最大漏源电阻值 3.1 mΩ
通道模式 增强
最小栅阈值电压 1.1V
最大功率耗散 52 W
晶体管配置 单
最大栅源电压 -16 V，+20 V
每片芯片元件数目 1
宽度 3.15mm
典型栅极电荷@Vgs 51 nC @ 10 V
长度 3.15mm
最高工作温度 +150 °C
晶体管材料 Si
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