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onsemi NDS355AN MOSFET

订 货 号:NDS355AN      品牌:安森美_Onsemi

库存数量:10             品牌属性:进口

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onsemi NDS355AN MOSFET
产品详细信息

增强模式 N 通道 MOSFET, Fairchild Semiconductor

增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻,提供耐用可靠的性能和快速切换。

半导体 MOSFET 晶体管,半

在半自动模式下, MOSFET 器件的组合相当庞大,包括高电压 (250V)> 和低电压 (250V)< 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
在半 MOSFET 上,可提供卓越的设计可靠性,从降低的电压峰值和过冲,到降低接点电容和反向恢复电荷,以及消除额外的外部组件,从而使系统保持较长的运行时间。


属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 1.7 A
最大漏源电压 30 V
封装类型 SOT-23
安装类型 表面贴装
引脚数目 3
最大漏源电阻值 230 mΩ
通道模式 增强
最小栅阈值电压 1V
最大功率耗散 500 mW
晶体管配置
最大栅源电压 -20 V、+20 V
典型栅极电荷@Vgs 3.5 nC @ 5 V
长度 2.92mm
宽度 1.4mm
最高工作温度 +150 °C
每片芯片元件数目 1
晶体管材料 Si
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