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onsemi FCB20N60FTM MOSFET

订 货 号:FCB20N60FTM      品牌:安森美_Onsemi

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onsemi FCB20N60FTM MOSFET
产品详细信息

SuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET,Fairchild Semiconductor

Fairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能,适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 (SMPS) 应用,如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。
利用先进的电荷平衡技术,设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案,可占用更少板空间并提高可靠性。

半导体 MOSFET 晶体管,半

在半自动模式下, MOSFET 器件的组合相当庞大,包括高电压 (250V)> 和低电压 (250V)< 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
在半 MOSFET 上,可提供卓越的设计可靠性,从降低的电压峰值和过冲,到降低接点电容和反向恢复电荷,以及消除额外的外部组件,从而使系统保持较长的运行时间。


属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 20 A
最大漏源电压 600 V
封装类型 D2PAK (TO-263)
安装类型 表面贴装
引脚数目 3
最大漏源电阻值 190 mΩ
通道模式 增强
最小栅阈值电压 3V
最大功率耗散 208 W
晶体管配置
最大栅源电压 -30 V、+30 V
典型栅极电荷@Vgs 75 nC @ 10 V
长度 10.67mm
最高工作温度 +150 °C
宽度 9.65mm
晶体管材料 Si
每片芯片元件数目 1
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