Infineon 为电动机控制应用提供全面的强建 N 通道和 P 通道 MOSFET 设备组合。
同步整流 MOSFET 设备的组合，适用于交流-直流电源，支持客户对更高功率密度、更小尺寸、更便于携带和更灵活的系统的需求。
Infineon IRFB4321 是 strongIRFET 功率 MOSFET 系列，经优化可用于低 RDS (接通) 和高电流容量。该设备特别适用于需要性能和坚固性的低频应用。全面的产品组合可用于各种应用，包括直流电动机，电池管理系统，变频器和直流 - 直流转换器。
工业标准通孔电源封装
高电流额定值
产品认证符合 JEDEC 标准
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 85 A |
| 最大漏源电压 | 150 V |
| 封装类型 | TO-220AB |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 15 MΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 5V |
| 最小栅阈值电压 | 3V |
| 最大功率耗散 | 350 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 晶体管材料 | Si |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 长度 | 10.66mm |
| 宽度 | 4.82mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 71 nC @ 10 V |
