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Nexperia PSMN4R3-30BL,118 MOSFET

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Nexperia PSMN4R3-30BL,118 MOSFET
产品详细信息

N 通道 MOSFET ，高达 30V

MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors


属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 100 A
最大漏源电压 30 V
封装类型 D2PAK (TO-263)
安装类型 表面贴装
引脚数目 3
最大漏源电阻值 5.8 mΩ
通道模式 增强
最大栅阈值电压 2.15V
最小栅阈值电压 1.3V
最大功率耗散 103 W
晶体管配置 单
最大栅源电压 -20 V、+20 V
最高工作温度 +175 °C
晶体管材料 Si
长度 10.3mm
典型栅极电荷@Vgs 41.5 nC @ 10 V
每片芯片元件数目 1
宽度 11mm
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