MOSFET的设计采用基于网格覆盖工艺的意法半导体统一带布局，产品的性能与其他制造商的可比标准件相匹配或有所提高。
100%雪崩测试
固有电容和Qg最小化
高速切换
完全隔离至-3PF塑料封装，爬电距离路径为5.4 mm（典型值）
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 2.5 A |
| 最大漏源电压 | 1500 V |
| 封装类型 | TO-220 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 9 Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 5V |
| 最小栅阈值电压 | 3V |
| 最大功率耗散 | 140 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | -30 V、+30 V |
| 长度 | 10.4mm |
| 晶体管材料 | Si |
| 宽度 | 4.6mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 典型栅极电荷@Vgs | 29.3 nC @ 10 V |
