DirectFET® 电源封装是表面安装功率 MOSFET 封装技术。 DirectFET® MOSFET 是先进切换应用中减少能耗同时缩小设计印迹的解决方案。
在各个印迹中均具有行业最低的导通电阻
封装电阻极低，尽量减少传导损耗
高效双面冷却可显著提高功率密度、降低成本和增加可靠性
薄型，仅 0.7mm
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 270 A |
| 最大漏源电压 | 40 V |
| 封装类型 | DirectFET L8 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 11 |
| 最大漏源电阻值 | 1 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大功率耗散 | 125 W |
| 最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 220 nC @ 10 V |
| 最高工作温度 | +175 °C |
| 长度 | 9.15mm |
| 宽度 | 7.1mm |
