属性 | 数值 |
---|---|
通道类型 | N |
最大连续漏极电流 | 65 A |
最大漏源电压 | 100 V |
封装类型 | TO-220SIS |
安装类型 | 通孔 |
引脚数目 | 3 |
最大漏源电阻值 | 4.8 mΩ |
通道模式 | 增强 |
最大栅阈值电压 | 4V |
最大功率耗散 | 45 W |
晶体管配置 | 单 |
最大栅源电压 | -20 V、+20 V |
长度 | 10mm |
最高工作温度 | +150 °C |
宽度 | 4.5mm |
每片芯片元件数目 | 1 |
典型栅极电荷@Vgs | 81 nC @ 10 V |
晶体管材料 | Si |