Infineon 600V CoolMOS P7 超结 MOSFET 是 600V CoolMOS ™ P6 系列的后继产品。它继续在设计过程中兼顾对高效率的需求和易用性。杰出 RonxA 和 CoolMOS ™第 7 代平台固有的低栅极电荷 (QG) 可确保其高效率。
600V P7 可启用出色的 FOM RDS (接通) xEoss 和 RDS (接通) xQG
集成栅极电阻器 RG
坚固的体二极管
广泛的产品组合，采用通孔和表面安装封装
提供标准级和工业级部件
集成 RG 可降低 MOSFET 振荡灵敏度
MOSFET 适用于硬和谐振切换拓扑，如 PFC 和 LLC
在 LLC 拓扑结构中，主体二极管硬换向期间具有出色的坚固性
适用于各种终端应用和输出功率
提供的部件适用于消费和工业应用
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 386 A |
| 最大漏源电压 | 650 V |
| 封装类型 | PG-to 247-3. |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 0.024. Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 4V |
| 每片芯片元件数目 | 2 |
