采用 SOT-223 封装的 Infineon OptiMOS ™ P 沟道 MOSFET 100V 是专为电池管理，负载开关和极性反接保护应用而设计的新技术。P 沟道设备的主要优点是降低了中，低功率应用中的设计复杂性。它可轻松连接到 MCU ，快速切换以及雪崩坚固性，使其适用于高质量要求苛刻的应用。它提供具有宽 RDS (接通) 范围的正常电平，并且由于 Qg 低，可提高低负载时的效率。它可用于电池管理，工业自动化。
特别适用于高和低切换频率
可耐受雪崩
工业标准印迹表面安装封装
坚固，可靠的性能
加强供应安全
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | P |
| 最大连续漏极电流 | 1.55 A |
| 最大漏源电压 | 100 V |
| 封装类型 | SOT-223 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
