Infineon 600V cool mos ™ C7 超接点（ sj ） mosfet 系列的关闭损耗（ e oss ）比 cool mos ™ cp 减少 ∼50% ，在 pfc 、 ttf 和其他硬切换拓扑结构中提供卓越的性能。IPL60R185C7 还是高功率密度充电器设计的完美匹配。效率和 tco （总拥有成本）应用，如超数据中心和高效电信整流器 (96%)>，得益于 cool mos ™ C7 提供的更高效率。可以在 PFC 拓扑中实现 0.3% 至 0.7% 的增益，在 LLC 中实现 0.1% 的增益。例如，对于 2.5kw 服务器 psu ，使用采用 to-247 4pin 封装的 600V cool mos ™ C7 sj 型功率半导体器件， psu 能量损耗可降低 ∼10% 的能耗。
减小开关损耗参数，如 Q G、C oss、E oss
同类最佳的品质因数 Q G*R DS（接通）
增加切换频率
全球最佳的 R（接通）*A
坚固的体二极管
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 35 A |
| 最大漏源电压 | 600 V |
| 封装类型 | TO-247 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 0.06 Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 4V |
| 晶体管材料 | Si |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
