功率 MOSFET 是采用微处理技术的低接通电阻设备，适用于广泛的应用。广泛的产品系列包含紧凑型、高功率型和复合型，可满足市场中的各种需求。
低电压 (1.5 V) 驱动类型
N 通道小信号 MOSFET
小型表面安装封装
无铅
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 2.5 A |
| 最大漏源电压 | 20 V |
| 封装类型 | SOT-323T |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 160 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 1.3V |
| 最小栅阈值电压 | 0.3V |
| 最大功率耗散 | 800 mW |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | ±10 V |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 长度 | 2.1mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 5 nC @ 4.5 V |
| 宽度 | 1.8mm |
