Infineon 600V CoolMOS ™ P7 超结 MOSFET 是 600V CoolMOS ™ P6 系列的后继产品。它继续在设计过程中兼顾对高效率的需求和易用性。杰出 RonxA 和 CoolMOS ™第 7 代平台固有的低栅极电荷 (QG) 可确保其高效率。
ESD 坚固性为≥ 2kV (HBM 2 类)
集成栅极电阻器 RG
坚固的体二极管
广泛的产品组合，采用通孔和表面安装封装
提供标准级和工业级部件
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 206 A |
| 最大漏源电压 | 650 V |
| 封装类型 | PG-to 247-3. |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 0.045 Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 4V |
| 每片芯片元件数目 | 2 |
