功率 MOSFET 是采用微处理技术的低接通电阻设备，适用于广泛的应用。广泛的产品系列包含紧凑型、高功率型和复合型，可满足市场中的各种需求。
低接通电阻。
快速切换速度。
栅-源电压 (VGSS) 保证达到 ±20 V。
驱动电路可以很简单。
易于并行使用。
无铅引线电镀
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 24 A |
| 最大漏源电压 | 600 V |
| 封装类型 | TO-263 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 2 + Tab |
| 最大漏源电阻值 | 320 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 4V |
| 最小栅阈值电压 | 2V |
| 最大功率耗散 | 245 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | ±30 V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 典型栅极电荷@Vgs | 70 nC @ 10 V |
| 宽度 | 9.2mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 长度 | 10.4mm |
