R6520ENX is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
Low on-resistance
Fast switching speed
Parallel use is easy
Pb-free plating
属性 | 数值 |
---|---|
通道类型 | N |
最大连续漏极电流 | 20 A |
最大漏源电压 | 650 V |
封装类型 | TO-220FM |
安装类型 | 通孔 |
引脚数目 | 3 |
最大漏源电阻值 | 200 mΩ |
通道模式 | 增强 |
最大栅阈值电压 | 4V |
最小栅阈值电压 | 2V |
最大功率耗散 | 68 W |
晶体管配置 | 单 |
最大栅源电压 | ±30 V |
最高工作温度 | +150 °C |
长度 | 10.3mm |
每片芯片元件数目 | 1 |
典型栅极电荷@Vgs | 61 nC @ 10 V |
宽度 | 4.8mm |