属性 | 数值 |
---|---|
通道类型 | P |
最大连续漏极电流 | 2 A |
最大漏源电压 | 20 V |
封装类型 | TSMT |
安装类型 | 表面贴装 |
引脚数目 | 3 |
最大漏源电阻值 | 250 mΩ |
通道模式 | 增强 |
最大栅阈值电压 | 2V |
最小栅阈值电压 | 0.7V |
最大功率耗散 | 1 W |
最大栅源电压 | -12 V、+12 V |
晶体管材料 | Si |
每片芯片元件数目 | 1 |
最高工作温度 | +150 °C |
典型栅极电荷@Vgs | 4.9 nC @ 4.5 V |
宽度 | 1.6mm |
长度 | 2.9mm |