75 V - 200 V N 沟道 MOSFET，您现在已经迈进世界一流的标准 MOS 产品系列，正寻找 75 V 至 200 V 范围内的高可靠性 MOSFET 来简化设计？我们的器件特别适合对空间和功率要求严苛的应用，提供极佳的开关性能和领先同类产品的安全工作区 (SOA)。例如，我们的 LFPAK 功率 MOSFET 系列具有超低 RDSon、高速开关和高达 200 V 的电压额定值。
100 V，N 沟道 Trench MOSFET，N 沟道增强型场效应晶体管 (FET) 采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装，采用 Trench MOSFET 技术。
逻辑电平兼容
超快切换
Trench MOSFET 技术
静电放电 (ESD) 保护：> 2 kV HBM
符合 AEC-Q101
继电器驱动器
高速线路驱动器
低侧负载开关
开关电路
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 1 A |
| 最大漏源电压 | 100 V |
| 封装类型 | SOT23, TO-236AB |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 892 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 2.7V |
| 最小栅阈值电压 | 1.3V |
| 最大功率耗散 | 5 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | 20 V |
| 宽度 | 1.4mm |
| 每片芯片元件数目 | 3 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 10 V 时，4.5 常闭 |
| 长度 | 3mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
