Wolfspeed 介绍了 SiC 功率器件技术的最新突破，推出业内仅 1kV 的 SiC MOSFET，采用新优化封装，适用于快速切换设备。经优化可用于电动车辆充电系统和三相工业电源，此新型 1kV 器件通过提供具有低导通电阻、极低输出电容和低源电感的独特器件，解决了许多电源设计难题，完美融合了低切换损耗和低传导损耗。
在整个工作温度范围内具有最小 1kV 的动态比特率
低源电感封装，带单独的驱动器源引脚
高速切换，具有低输出电容
高阻塞电压，具有低 RDS（接通）
快速固有二极管，具有低反向恢复（反向恢复电荷）
易于并行且易于驱动
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 22 A |
| 最大漏源电压 | 1000 V |
| 封装类型 | TO-263 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 7 + Tab |
| 最大漏源电阻值 | 170 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 3.5V |
| 最小栅阈值电压 | 1.8V |
| 最大功率耗散 | 83 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | +15 v 、 +9 v |
| 宽度 | 9.12mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 典型栅极电荷@Vgs | 21.5 @ 4/+15 V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 晶体管材料 | SiC |
| 长度 | 10.23mm |
